品牌电脑系统封装工艺流程-系统封装有什么好处

1.led封装工艺流程

2.制做SIP的一般流程

3.封装技术的3D封装技术

4.tsv-cis封装是什么意思

5.三阶段,四区段,八流程工艺流程是什么

led封装工艺流程

芯片检验、扩片、点胶。

1、芯片检验。材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑，芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求。

2、扩片。将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上，随后进行烧结使银胶固化。

3、点胶。通过点胶，用环氧将LED管芯和焊线保护起来，直接关系到背光源成品的出光亮度。

制做SIP的一般流程

FilpChip-BGA的流程包括：晶圆减薄→晶圆凸点生成→晶圆切割→芯片倒装→回流焊接→裸芯片下部填胶→表面打标→BGA基板植球→基板回流焊→切割分离→最终检查→测试包装。

FilpChip-BGA封装前，晶圆同样会做减薄处理，然后在晶圆上制作凸点Bump。之后进行晶圆切割，再将芯片倒装焊接到基板上。焊接好后进行清洗，芯片底部填胶等操作，以固定芯片并克服由于芯片和基板CET不一致而导致的应力。BGA基板植球、回流焊接、清洗、打标、切割、测试、包装等流程与Wire Bonding-BGA基本一致。

通过两种工艺的对比，可以看出，两者的基本的流程是一致的，主要区别在于FlipChip倒装焊在切割晶圆片之前要生成芯片的凸点，然后进行芯片倒装、回流焊接等一系列流程。

FlipChip整个工艺流程需要两次回流焊，包括芯片回流焊和BGA基板回流焊。而Wire Bonding则需要芯片粘结、键合、模封等过程，整个工艺流程只需要一次回流焊。

对于SiP系统级封装，由于是多个芯片，就有可能会遇到混合工艺的情况，即在一颗SiP封装中既有WB芯片，也有FC芯片。目前，在实际应用中这种情况已经比较常见，在设计中经常会遇到，如所选的裸芯片中有支持WB工艺的芯片，也有支持FC工艺的芯片，就需要做混合工艺SiP的生产制造。

封装技术的3D封装技术

由于电子整机和系统在航空、航天、计算机等领域对小型化、轻型化、薄型化等高密度组装要求的不断提高，在MCM的基础上，对于有限的面积，电子组装必然在二维组装的基础上向z方向发展，这就是所谓的三维(3D)封装技术，这是今后相当长时间内实现系统组装的有效手段。

实现3D封装主要有三种方法。一种是埋置型，即将元器件埋置在基板多层布线内或埋置、制作在基板内部。电阻和电容一般可随多层布线用厚、薄膜法埋置于多层基板中，而IC芯片一般要紧贴基板。还可以在基板上先开槽，将IC芯片嵌入，用环氧树脂固定后与基板平面平齐，然后实施多层布线，最上层再安装IC芯片，从而实现3D封装。第二种方法是有源基板型，这是用硅圆片IC(WSI)作基板时，先将WSI用一般半导体IC制作方法作一次元器件集成化，这就成了有源基板。然后再实施多层布线，顶层仍安装各种其他lC芯片或其他元器件，实现3D封装。这一方法是人们最终追求并力求实现的一种3D封装技术。第三种方法是叠层法，即将两个或多个裸芯片或封装芯片在垂直芯片方向上互连成为简单的3D封装。更多的是将各个已单面或双面组装的MCM叠装在一起，再进行上下多层互连，就可实现3D封装。其上下均可加热沉，这种3D结构又称为3D．MCM。由于3D的组装密度高，功耗大，基板多为导热性好的高导热基板，如硅、氮化铝和金刚石薄膜等。还可以把多个硅圆片层叠在一起，形成3D封装。

先进的叠层式3D封装技术

近几年来，先进的封装技术已在IC制造行业开始出现，如多芯片模块（MCM）就是将多个IC芯片按功能组合进行封装，特别是三维（3D）封装首先突破传统的平面封装的概念，组装效率高达200%以上。它使单个封装体内可以堆叠多个芯片，实现了存储容量的倍增，业界称之为叠层式3D封装；其次，它将芯片直接互连，互连线长度显著缩短，信号传输得更快且所受干扰更小；再则，它将多个不同功能芯片堆叠在一起，使单个封装体实现更多的功能，从而形成系统芯片封装新思路；最后，用3D封装的芯片还有功耗低、速度快等优点，这使电子信息产品的尺寸和重量减小数十倍。正是由于3D封装拥有无可比拟的技术优势，加上多媒体及无线通信设备的使用需求，才使这一新型的封装方式拥有广阔的发展空间。

最常见的裸芯片叠层3D封装先将生长凸点的合格芯片倒扣并焊接在薄膜基板上，这种薄膜基板的材质为陶瓷或环氧玻璃，其上有导体布线，内部也有互连焊点，两侧还有外部互连焊点，然后再将多个薄膜基板进行叠装互连。

裸芯片叠层的工艺过程为：第一步，在芯片上生长凸点并进行倒扣焊接。如果用金凸点，则由金丝成球的方式形成凸点，在250～400 ℃下，加压力使芯片与基板互连；若用铅锡凸点，则用 Pb95Sn5（重量比）的凸点，这样的凸点具有较高的熔点，而不致在下道工艺过程中熔化。具体方法，先在低于凸点熔点的温度（180～250 ℃）下进行芯片和基板焊接，在这一温度下它们靠金属扩散来焊接；然后加热到250～400 ℃，在这一温度下焊料球熔化，焊接完毕。第一步的温度是经过成品率试验得到的，当低于150 ℃时断路现象增加；而当高于300 ℃时，则相邻焊点的短路现象增多。第二步，在芯片与基板之间0.05 mm的缝隙内填入环氧树脂胶，即进行下填料。第三步，将生长有凸点的基板叠装在一起，该基板上的凸点是焊料凸点，其成分为Pb/Sn或Sn/Ag，熔点定在200～240 ℃。这最后一步是将基板叠装后，再在230～250 ℃的温度下进行焊接。

MCM叠层的工艺流程与裸芯片叠层的工艺流程基本一致。除上述边缘导体焊接用互连方式外，叠层3D封装还有多种互连方式，例如引线键合叠层芯片就是一种用引线键合技术实现叠层互连的，该方法的适用范围比较广。此外，叠层互连工艺还有叠层载带、折叠柔性电路等方式。叠层载带是用载带自动键合（TAB）实现IC互连，可进而分为印刷电路板（PCB）叠层TAB和引线框架TAB。折叠柔性电路方式是先将裸芯片安装在柔性材料上，然后将其折叠，从而形成三维叠层的封装形式。

tsv-cis封装是什么意思

TSV-CIS封装技术是目前先进的封装技术,它可以有效降低中低端CIS封装成本,使得芯片面积达到最小,实现晶圆级封装.本文简单介绍了TSV-CIS封装技术工艺的背景,结构,工艺流程及沈阳芯源公司可以应用的机台等内容。

所谓“封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。以CPU为例，实际看到的体积和外观并不是真正的CPU内核的大小和面貌，而是CPU内核等元件经过封装后的产品。封装技术对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。

因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB（印制电路板）的设计和制造，因此它是至关重要的。

三阶段,四区段,八流程工艺流程是什么

是一种针对半导体制造过程的工艺流程，主要包括三个阶段、四个区段和八个工艺流程。

三个阶段分别为前端制程、中间制程和后端制程，四个区段分别为晶圆制备、器件制造、封装测试和最终装配，八个工艺流程则分别为沉积、清洗、光刻、蚀刻、扩散、离子注入、热处理和测试。工艺流程是半导体制造过程中必不可少的步骤，每个步骤都要经过精密的操作和严格的控制，以确保半导体器件的质量和性能。